方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。

測試方法

方塊電阻如何測試呢，可不可以用用表電阻檔直接測試圖所示的材料呢?不可以的，因用表的表筆只能測試點到點之間的電阻，而這個點到點之間的電阻不表示何意義。如要測試方阻，我們需要在A邊和B邊各壓上個電阻比導電膜電阻小得多的圓銅棒，而且這個圓銅棒光潔度要，以便和導電膜接觸良好。這樣我們就可以通過用用表測試兩銅棒之間的電阻來測出導電薄膜材料的方阻。

如果方阻值小，如在幾個歐姆以下，因為存在接觸電阻以及用表本身性能等因素，用用表測試就會存在讀數不穩(wěn)和測不準的情況。這時就需要用門的用四端測試的低電阻測試儀器，如毫歐計、微歐儀等。測試方法如下:用四根光潔的圓銅棒壓在導電薄膜上，如圖二所示。四根銅棒用A、B、C、D表示，它們上面焊有導線接到毫歐計上，我們使BC之間的距離L等于導電薄膜的寬度W，至于AB、CD之間的距離沒有要求，般在10--20mm就可以了，接通毫歐計以后，毫歐計顯示的阻值就是材料的方阻值。這種測試方法的優(yōu)點是:(1)用這種方法毫歐計可以測試到幾百毫歐，幾十毫歐，甚至更小的方阻值，(2)由于采用四端測試，銅棒和導電膜之間的接觸電阻，銅棒到儀器的引線電阻，即使比被測電阻大也不會影響測試度。(3)測試度。由于毫歐計等儀器的度很，方阻的測試度主要由膜寬W和導電棒BC之間的距離L的機械度決定，由于尺寸大，這個機械度可以做得。在實際操作時，為了提測試度和為了測試長條狀材料，W和L不定相等，可以使L比W大很多，此時方阻Rs=Rx*W/L,Rx為毫歐計讀數。

此方法雖然度，但麻煩，尤其在導電薄膜材料大，形狀不整齊時，很難測試，這時就需要用用的四探針探頭來測試材料的方阻，如圖三所示。

探頭由四根探針阻成，要求四根探針頭的距離相等。四根探針由四根引聯接到方阻測試儀上，當探頭壓在導電薄膜材料上面時，方阻計就能立即顯示出材料的方阻值，具體原理是外端的兩根探針產生電場，內端上兩根探針測試電場在這兩個探點上形成的電勢。因為方阻越大，產生的電勢也越大，因此就可以測出材料的方阻值。需要提出的是雖然都是四端測試，但原理上與圖二所示用銅棒測方阻的方法不同。因電場中僅少分電在BC點上產生電壓(電勢)。所示靈敏度要低得多，比值為1:4.53。

影響探頭法測試方阻度的因素:

(1)要求探頭邊緣到材料邊緣的距離大大于探針間距，般要求10倍以上。

(2)要求探針頭之間的距離相等，否則就要產生等比例測試誤差。

(3)理論上講探針頭與導電薄膜接觸的點越小越好。但實際應用時，因針狀電容易破壞被測試的導電薄膜材料，所以般采用圓形探針頭。

zui后談談實際應用中存在的問題

1、如果被測導電薄膜材料表面上不干凈，存在油污或材料暴露在空氣中時間過長，形成氧化層，會影響測試穩(wěn)定性和測試度。在測試中需要引起注意。

2、如探頭的探針存在油污等也會引起測試不穩(wěn)，此時可以把探頭在干凈的白紙上滑動幾下擦擦可以了。

3、如果材料是蒸發(fā)鋁膜等，蒸發(fā)的厚度又太薄的話，形成的鋁膜不能均勻的連成片，而是形成點狀分布，此時方塊電阻值會大大增加，與通過稱重法計算的厚度和方阻值不樣，因此，此時就要考慮到加入修正系數。